IGBT транзистор FGH40N60
- Код Товара: FGH40N60
- Наличие: Нет в наличии
-
700р.
IGBT транзистор FGH40N60
Технические параметры
Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 115
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Теги: FGH40N60, Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), ON Semiconductor